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 SGT60N60FD1PN描述

    SGT60N60FD1PN绝缘栅双极型晶体管采用场截止（FieldStop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及 PFC 等领域。

SGT60N60FD1PN特点

• 60A,600V, V_{CE(sat)(典型值)}=2.2V@I_C=60A 
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗

IGBT的定义

    IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。

    GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT主要的作用就是把高压直流变为交流，以及变频（所以用在电动车上比较多）。

文字来源：网络整理

士兰微 IGBT  士兰微 IGBT  士兰微 IGBT  士兰微 IGBT 

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